价格和需求同亮眼，HBM存储及先进封装将迎来扩产

TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示，由于AI需求高涨，目前英伟达（NVIDIA）以及其他品牌的GPU或ASIC供应紧俏，除了CoWoS是供应瓶颈，HBM亦同，主要是HBM生产周期较DDR5更长，投片到产出与封装完成需要两个季度以上所致。

行业人士表示，在产能紧缺下目前DRAM以及绑定英伟达新款AI芯片的HBM存储系统售价更高。在此带动下，从今年一季度财报开始，三星、美光业绩开始翻盘。并且，三星、美光、SK海力士三大存储原厂在发布最新扩产动态或财报后，股价应声大涨。据悉，包括三大原厂及晶圆代工大厂台积电、英特尔在内的厂家均在加大晶圆投入，并针对HBM存储芯片以及先进封装进行一系列的产能扩产，市场逐步进入到新一轮上升周期中。

三星美国投资追加至440亿美元？或新建一座晶圆厂和一个封装厂

近日据外媒消息，三星计划将在美国德克萨斯州的投资增加至约440亿美元，大部分新支出将集中在泰勒市附近。目前三星正在当地建设一家芯片厂，现计划再建一家芯片制造厂以及一个先进封装厂。

消息人士称，宣布三星扩大投资的活动预计将于4月15日在泰勒举行。对此三星未予置评。此前2021年消息显示，三星曾承诺向泰勒投资170亿美元用于建设一家尖端芯片制造工厂，这次是在此基础上追加的投资，金额翻倍。据了解，AI人工智能相关部件上如HBM，以及2.5D和3D封装技术将是三星此次投资的重点。

寒冬尾声，迈过2023年惨淡的业绩后，三星再次迎来亮眼财报。近日其发布业绩指引称，三星第一季度营收同比增加11.4%，达到71万亿韩元（约合人民币3805亿元）。营利将同比增长约931%，从6400亿韩元（约合人民币34.30亿元）至6.6万亿韩元（约合人民币353亿元）。不过，最终正式财报结果将在4月底公布。

此外，三星HBM芯片需求也在不断上升。近日英伟达CEO黄仁勋在英伟达GTC 2024活动的媒体见面会上暗示，英伟达有意采购三星的HBM芯片。近期外媒消息显示，英伟达最快将从9月开始大量购买三星电子的12层HBM3E。该消息还在进一步证实中。

SK海力士美国38.7亿美元建HBM先进封装厂

2024年4月4日，SK海力士宣布，在美国印第安纳州西拉斐特（West Lafayette）建造适于AI的存储器先进封装生产基地，同时与美国普渡（Purdue）大学等当地研究机构进行半导体研究和开发合作。公司计划向该项目投资38.7亿美元。

SK海力士表示，印第安纳州工厂预计在2028年下半年开始量产新一代HBM等适于AI的存储器产品。公司将以此领先激活全球AI半导体供应链。”

另外，SK海力士还将顺利推进已计划的韩国国内投资项目。公司将投资120万亿韩元建设的龙仁半导体集群目前正在进行用地在建工程。SK海力士计划在明年3月开工建造第一座工厂，并于2027年初完工。而且还将建造“迷你工厂”以此加强材料、零部件、设备生态系统。据悉，迷你工厂是为了验证半导体材料、零部件、设备等，具备300毫米晶圆工艺设备的研究设施。

据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷预估，截至2024年底，整体DRAM产业规划生产HBM TSV的产能约为250K/m，占总DRAM产能（约1,800K/m）约14%，供给位元年成长约260%。此外，2023年HBM产值占比之于DRAM整体产业约8.4%，至2024年底将扩大至20.1%。

TrendForce集邦咨询观察，以HBM产能来看，三星、SK海力士（SK hynix）至今年底的HBM产能规划最积极，三星HBM总产能至年底将达约130K（含TSV）；SK海力士约120K，但产能会依据验证进度与客户订单持续而有变化。另以现阶段主流产品HBM3产品市占率来看，目前SK海力士于HBM3市场比重逾9成，而三星将随着后续数个季度AMD MI300逐季放量持续紧追。

美光Q2财报大涨，HBM3E贡献巨大

近日，美光也公布了2024年第二季度最新财报。财报数据显示美光营收58.2亿美元，环比上涨了23%，同比大涨57.7%。美光在NON-GAAP准则下调整后的营业利润同样由亏转盈，数据显示美光Q2调整后营业利润达到2.04亿美元。相比之下上年同期亏损20.77亿美元，第一财季亏损9.55亿美元。

美光首席执行官Sanjay Mehrotra在与分析师的电话会议上表示：“美光已经恢复盈利，并比预期提前足足一个季度实现了正向的营业利润率。”业绩预期方面，美观预计在HBM强劲需求驱动之下，第三财季营收区间将达到64亿美元至68亿美元，意味着同比激增70%到81%。

3月尾声，美光宣布其位于西安的封装和测试新厂房已正式破土动工。此前，在2023年6月，美光宣布在西安追加投资43亿元人民币。该投资计划包括加建上述的封装和测试新厂房以及收购力成半导体（西安）有限公司（以下简称“力成西安”）的封装设备。其中加建的新厂房将引入全新产线，制造更广泛的产品解决方案，包括但不限于移动DRAM、NAND及SSD，从而拓展西安工厂现有的DRAM封装和测试能力。据悉，该新厂房预计将于2025年下半年投产，并根据市场需求逐步增产。新厂房落成后，美光西安工厂的总面积将超过13.2万平方米（140万平方英尺）。

在扩产进度上，美光管理层表示，2024财年新工厂和设备的预算将维持在75亿美元至80亿美元，并且该公司将继续在中国、日本和印度开展项目。

今年美光推出了HBM3E（第五代HBM）新品，该公司表示是市场针对AI应用的最高规格DRAM产品。目前美光已开始批量生产HBM3E，其24GB 8H HBM3E产品将供货给英伟达，并将应用于NVIDIA H200 Tensor Core GPU。

TrendForce集邦咨询表示，从NVIDIA此前发布的AI产品规划来看，B100系列的后继产品为X100、GX200等产品，虽然信息尚未明朗。然而，根据其设计态势与对主权AI（Sovereign AI）的推动，积极发展NVLink串连更多算力，以及大幅降低相对能耗预计为考量重点，而后者或将使其积极采用具备高效能特性的HBM。

美光新品有望从中受益更多，官方表示，公司有望在2024财年从HBM中获得数亿美元的收入，并预计从第三财季开始，HBM收入将增加我们的DRAM 和整体毛利率。我们的2024年HBM已售罄，并且2025年的绝大多数供应已分配完毕。

目前，据TrendForce集邦咨询研究显示，2023年SK海力士占据了46％到49％的HBM市场份额，三星市场份额也差别不大，美光目前只占有4％到6％的市场份额。据行业人士观点，在美光新品持续发力情况下，受到美国地缘优势影响，美国本地科技巨头或加大采购力度，助力其市场份额提升。

英特尔获得美国芯片法案最大一笔补贴

近日，美国拜登总统在亚利桑那州宣布为英特尔提供85亿美元的直接拨款和110亿美元的贷款，以及未来5年25%的税收减免。据悉，各项补贴总计接近200亿美元，为《芯片法案》出台之后最大的一笔补贴。

英特尔官方信息显示，英特尔正计划未来5年在亚利桑那州、俄亥俄州、新墨西哥州和俄勒冈州投资1000亿美元，以扩大先进芯片制造能力，并在2030年重回晶圆代工第二宝座，此番补贴为其“五年大计”助力不少。

对于此次200亿美元补贴，英特尔称将在美国新建晶圆厂和先进封装项目，预计25%至30%用在建造生产设施，其余约70%用于设备，具体包括：亚利桑那州的Octillo园区新建两座晶圆厂，分别为Fab 52和Fab 62，打造下一代EUV生产线为Intel 18/20A工艺服务；俄亥俄州新奥尔巴尼园区的两座新建晶圆厂；俄勒冈州希尔斯伯勒园区进行的扩建和改造，涉及D1X晶圆厂等设施，近期开始安装ASML的High-NA EUV光刻机；新墨西哥州里奥兰乔的Fab 9和Fab 11X，用于先进的半导体封装技术。

其中作为英特尔代工计划的重中之重，俄亥俄州哥伦布市附近的空地将从2027年起建设成为“全球最大的AI芯片制造基地”。

英特尔最新动态显示，该公司晶圆代工架构再次调整，英特尔将其财务架构将拆分为英特尔代工和英特尔产品两大板块，届时，英特尔代工业务将成为一个独立的运营部门，拥有自己的损益表。

当前，晶圆代工厂商之间的竞争已升级到2nm制程。其中，intel 18A便是英特尔针对台积电下一代2纳米制程技术的竞争。据介绍，目前英特尔已经收到了5家客户的订单承诺，并为这项特定的制造技术测试了十几颗芯片。得一提的是，英特尔近日亦首次单独披露了芯片制造业务的收入总额，其代工业务在2023年营业亏损70亿美元，销售额为189亿美元。基辛格表示，2024年将是该公司芯片制造业务运营亏损最严重的一年，预计到2027年左右才会实现运营盈亏平衡。

台积电18日业绩说明会，先进封装布局和CoWoS产能成焦点

台积电已经在先进封装上多次扩产。3月18日，据中国台湾经济日报报道，台积电将在中国台湾地区嘉义科学园区先进封装厂新厂加大投资，园区将拨出六座新厂用地给台积电，比原本预期的四座多两座，总投资额逾5000亿新台币（约合人民币1137亿元），主要扩充晶圆基片芯片（CoWoS）先进封装产能。另据其他媒体消息显示，台积电正考虑在日本建设先进的芯片封装产能，选择之一是将其CoWoS封装技术引入日本。

3月18日晚间，台积电官方虽未证实六座新厂及日本扩建封装厂的消息，但其表示，台积电证实将在嘉义科学园区设2座CoWoS先进封装厂，首座 CoWoS 厂预计5月动工，2028年量产。

据悉，从去年中至今年初，中国中国台湾方面就积极协调台积电先进封装厂进驻位于太保的嘉科，相关环评、水电设施都已盘点、处理完成，预计4月就能动工，这间接证实相关传闻。

目前，台积电的CoWoS产能全部位于中国台湾。据路透社最新报道，知情人士透露，台积电正考虑在日本建设先进的芯片封装产能，选择之一是将其CoWoS封装技术引入日本。审议工作还处于早期阶段，尚未就潜在投资的规模或时间表做出决定。

根据官网，台积电在中国台湾共有5座先进封测厂，位于新竹、台南、桃园龙潭、台中，以及苗栗竹南。其中位于苗栗竹南的先进封测六厂，2023年6月上旬启用，整合SoIC、InFO、CoWoS，以及先进测试等多种台积电3D Fabric先进封装与硅堆栈技术产能规划。2023年7月下旬，台积电在竹科铜锣园区布局CoWoS晶圆新厂，预计2026年底完成建厂，规划2027年第2季或第3季量产。

本月18日台积电将举行业绩说明会，其先进封装布局和CoWoS产能进展成为业界关注重点。法人评估到2025年上半年，台积电CoWoS产能已被订满，今年台积电供应的CoWoS产能中，超过50%比重将由NVIDIA和博通占据。