1. 在tft基板上形成tft阵列的工艺 现已实现产业化的tft类型包括：非晶硅tft(a-si tft)、多晶硅tft(p-si tft)、单晶硅tft(c-si tft)几种。目前使用最多的仍是a-si tft。a-si tft的制造工艺是先在硼硅玻璃基板上溅射栅极材料膜，经掩膜曝光、显影、干法蚀刻后形成栅极布线图案。
一般掩膜曝光用步进曝光机。第二步是用pecvd法进行连续成膜，形成sinx膜、非掺杂a-si膜，掺磷n+a-si膜。然后再进行掩膜曝光及干法蚀刻形成tft部分的a-si图案。第三步是用溅射成膜法形成透明电极(ito膜)，再经掩膜曝光及湿法蚀刻形成显示电极图案。第四步栅极端部绝缘膜的接触孔图案形成则是使用掩膜曝光及干法蚀刻法。
第五步是将al等进行溅射成膜，用掩膜曝光、蚀刻形成tft的源极、漏极以及信号线图案。最后用pecvd法形成保护绝缘膜，再用掩膜曝光及干法蚀刻进行绝缘膜的蚀刻成形，(该保护膜用于对栅极以及信号线电极端部和显示电极的保护)。至此，整个工艺流程完成。
tft阵列工艺是tft-lcd制造工艺的关键,也是设备投资最多的部分。整个工艺要求在很高的净化条件(例如10级)下进行。
2. 在彩色滤光片(cf)基板上形成彩色滤光图案的工艺 彩色滤光片着色部分的形成方法有染料法、颜料分散法、印刷法、电解沉积法、喷墨法。目前以颜料分散法为主。
颜料分散法的第一步是将颗粒均匀的微细颜料(平均粒径小于0.1μm)(r、g、b三色)分散在透明感光树脂中。然后将它们依次用涂敷、曝光、显影工艺方法，依次形成r. g. b三色图案。在制造中使用光蚀刻技术，所用装置主要是涂敷、曝光、显影装置。
为了防止漏光，在rgb三色交界处一般都要加黑矩阵(bm)。以往多用溅射法形成单层金属铬膜，现在也有改用金属铬和氧化铬复合型的bm膜或树脂混合碳的树脂型bm。
此外，还需要在bm上制做一层保护膜及形成it0电极,由于带有彩色滤光片的基板是作为液晶屏的前基板与带有tft的后基板一起构成液晶盒。所以必须关注好定位问题，使彩色滤光片的各单元与tft基板各像素相对应。
深圳市思迪科科技有限公司成立于2009年，长年专注于各种TFT液晶显示屏(LCD)、TFT液晶显示模组(LCM)、电容/电阻触摸屏、工业级HMI人机界面硬件及软件的研发、设计、生产和销售于一体的高新技术企业，为全球客户提供标准以及定制化的显示产品和显示技术解决方案，产品被广泛应用于车载显示、医疗设备、智能家居、工控设备、手持设备、仪器仪表以及其他信息显示终端领域。官网：http://www.cdtech-lcd.cn/ 电话：0755-23032202
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