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全球加速碳化硅产能扩充

受惠于下游应用市场的强劲需求,碳化硅产业正处于高速成长期。

据TrendForce集邦咨询预期,至2026年SiC功率元件市场规模可望达53.3亿美元,其主流应用仍倚重电动汽车及可再生能源。
近期,备受关注的碳化硅市场又有了新动态,涉及三菱电机、美尔森、芯粤能等企业。


三菱电机SiC工厂预计4月开建
据日经新闻近日报道,三菱电机将于今年4月,在日本熊本县开工建设新的8英寸SiC工厂,并计划于2026年4月投入运营。
2023年3月,三菱电机宣布,计划在5年内投资约1000亿日元(折合人民币约48.56亿元)建设一个8英寸SiC工厂,并加强相关生产设施。该厂房计划于2026年4月投入运营。
据了解,该新工厂共有六层,总建筑面积约4.2万平方米,将主要负责8英寸SiC晶圆的前端工艺。三菱电机将在全工序段引入自动输送系统,打造生产效率高的生产线,并计划逐步提高产能,目标在2026财年将SiC产能提升5倍(与2022财年相比)。
2023年5月,三菱电机与Coherent签署了一份谅解备忘录,Coherent将为三菱电机新工厂供应8英寸n型4HSiC衬底,双方共同致力于扩大8英寸SiC器件的生产规模。


芯粤能SiC芯片制造项目加速一期产能爬坡
近日,据芯粤能晶圆厂厂长邵永华介绍,目前整个工厂正在扩产爬坡,预计今年年底实现年产24万片6英寸车规级SiC芯片的规划产能。预留的8英寸产线就在6英寸产线隔壁,建成后将具备年产24万片8英寸车规级SiC芯片的能力。
据此前消息,芯粤能碳化硅(SiC)芯片制造项目是广东“强芯工程”重大项目,总投资额为75亿元,占地150亩,一期投资35亿元,建成年产24万片6英寸SiC芯片的生产线,二期建设年产24万片8英寸SiC芯片的生产线,产品包括IGBT、SiC SBD/JBS、SiC MOSFET等功率器件,主要应用于新能源汽车、光伏、智能电网等领域。
2022年11月,该项目无尘车间正式启用,目前已经实现月产1万片产能,车规级和工控级芯片成功流片并送样,即将完成车规认证。截至目前,芯粤能已与40多家客户签约流片,覆盖全国大部分SiC芯片设计企业。


美尔森加码SiC衬底项目
3月12日,欧洲石墨材料和碳化硅衬底供应商美尔森宣布,公司获得法国政府投资,将用于SiC衬底项目的产能扩充。该笔补贴金额或将超过1200万欧元(约合人民币0.94亿),来自于“法国2023计划”——微电子和通信技术欧洲重要联合利益项目。
美尔森表示,他们计划借此推进p-SiC衬底的研发和工业生产阶段,p-SiC是一种低电阻率多晶SiC衬底,可以与单晶SiC有源层相结合,有助于SiC器件厂商提高产量和晶体管性能。
美尔森预计,在2023至2025年将投资8500万欧元(约合人民币6.7亿),雇佣80至100名员工,推动法国热讷维耶工厂的产能建设,并在2027年之前达到40万片衬底(150mm)的潜在制造能力。
此外,美尔森将为Soitec公司供应碳化硅衬底。2021年11月,美尔森与Soitec达成战略合作伙伴关系,凭借各自在基板和材料方面的经验,双方联合开发的极低电阻率多晶SiC衬底将用于Soitec Smart SiC技术设计的SiC电力电子元件。

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