中国科学家研究铁电隧道结存储器获新进展

中国科学院金属研究所研究团队提出利用缓冲层定量调控薄膜应变,延迟铁电薄膜晶格弛豫从而增强铁电极化强度的策略,成功揭示极化强度同铁电隧道结存储器隧穿电阻之间的内在关联,并实现巨大隧穿电致电阻(或器件开关比)。

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LED芯片的封装技术

LED芯片只是一块很小的固体,它的两个电极要在显微镜下才能看见,加入电流后它才会发光,在制作工艺上除了要对LED芯片的两个电极进行焊接。从而引出正负电极之外。同时还要对LED芯片和两个电极进...

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