据报导,苹果A19 Pro芯片考虑使用台积电N3P制程,有望搭载于iPhone 17 Pro和iPhone 17 Pro Max。台积电正致力于在2024年底前将3纳米晶圆产能提高至10万片...
中国科学院金属研究所研究团队提出利用缓冲层定量调控薄膜应变,延迟铁电薄膜晶格弛豫从而增强铁电极化强度的策略,成功揭示极化强度同铁电隧道结存储器隧穿电阻之间的内在关联,并实现巨大隧穿电致电阻(或器件开关比)。
据报导,苹果A19 Pro芯片考虑使用台积电N3P制程,有望搭载于iPhone 17 Pro和iPhone 17 Pro Max。台积电正致力于在2024年底前将3纳米晶圆产能提高至10万片...
中国科学院金属研究所研究团队提出利用缓冲层定量调控薄膜应变,延迟铁电薄膜晶格弛豫从而增强铁电极化强度的策略,成功揭示极化强度同铁电隧道结存储器隧穿电阻之间的内在关联,并实现巨大隧穿电致电阻(或器件开关比)。