1月24日，由中国半导体照明工程研发及产业联盟主办，由中科院半导体照明研发中心承办的“半导体照明前沿关键技术培训研讨会”在中国科学院半导体研究所学术会议中心胜利召开。会上，清华大学电子系罗毅教授做了题为《高效大功率GaN基LED材料外延生长及其制备》的报告。
在报告中，罗毅教授从Ⅲ/Ⅴ族半导体材料及外延生长的原理性问题入手，采用CFD方法模拟了MOCVD生长工艺，分析了GaN体材料的生长与掺杂问题，评价了多量子阱的生长与优化，认为对GaN材料物理特性的独到准确理解是获得高质量GaN材料的关键。
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