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闫发旺:图形蓝宝石衬底及其MOCVD外延生长

LED之家  于2009-02-01 15:39:44  http://www.ledjia.com/ledhangye/viewarticle.php?id=4542

文章摘要:  1月24日,由中国半导体照明工程研发及产业联盟主办,由中科院半导体照明研发中心承办的“半导体照明前沿关键技术培训研讨会”在中国科学院半导体研究所学术会议中心胜利召开。会上,中科院半导体研究所闫发旺研究员做了题为《图形蓝宝石衬底及其MOCVD外延生长》的报告。  在报告中,闫发旺研究员通过图形衬底

  1月24日,由中国半导体照明工程研发及产业联盟主办,由中科院半导体照明研发中心承办的“半导体照明前沿关键技术培训研讨会”在中国科学院半导体研究所学术会议中心胜利召开。会上,中科院半导体研究所闫发旺研究员做了题为《图形蓝宝石衬底及其MOCVD外延生长》的报告。

  在报告中,闫发旺研究员通过图形衬底及侧向外延技术的对比,揭示了图形衬底技术的优势与研究必要性;详尽介绍了中科院半导体研究所图形衬底技术进展与结果:已掌握基础关键技术、申请五项专利,并在小功率芯片有突出成就;最后,他分析了该技术专业化开发的优势,提出已具备批量生产能力,且价格较台湾更具优势。


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