中国科学院金属研究所研究团队提出利用缓冲层定量调控薄膜应变,延迟铁电薄膜晶格弛豫从而增强铁电极化强度的策略,成功揭示极化强度同铁电隧道结存储器隧穿电阻之间的内在关联,并实现巨大隧穿电致电阻(或器件开关比)。
根据名单不完全统计,本次南京、苏州、无锡、盐城地区新增专精特新集成电路企业近60家,涉及EDA、碳化硅、存储器、晶圆测试、传感器、车规级芯片、半导体设备、电子元器件等细分领域。 南京:13...
TechInsights在位于渥太华和华沙的实验室收到了Galaxy Watch系列的最新款,目前正在对其进行拆解和详细的技术分析。敬请期待我们对Galaxy Watch 7内部结构的深入分...
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美通社消息,根据Omdia的新研究,到2031年,用于平板电脑的 OLED 显示器的出货量预计将增加至 3500万台。值得注意的是,预计在该时间段内,用于平板电脑的混合 OLED 的出货份...


