启甲府工厂,并于当日举行了开幕典礼。 资料显示,在2014年停止运营之前,甲府工厂拥有6英寸和8英寸晶圆产线。2022年5月,为了应对日益增长的功率半导体需求,瑞萨电子宣布重新启用该工厂。 2022年,瑞萨电子对该工厂进行了价值900亿日元的投资,并导入功率半导体专用的12英寸产线。 瑞萨电子表示,此次重启进行试产等作业后,甲府工厂将在2025年开始大规模生产IGBT和MOSFET等功率半导体产能
以本次的震度来看,几乎都是停机检查后,迅速复工进行,纵使有因为紧急停机或地震损坏炉管,导致在线晶圆破片或是毁损报废,但由于目前成熟制程厂区产能利用率平均皆在50~80%,故损失大多可以在复工后迅速将产能补齐,产能损耗算是影响轻微。 DRAM方面,以位于新北的南亚科(Nanya)Fab3A,以及美光(Micron)林口厂受地震影响较大,南亚科该厂区主责20/30nm制程的产品,最新制程1Bnm正在开
1.部分代工厂成熟制程报价续降据科创板日报引述中国台湾经济日报,IC设计厂商透露,本季部分晶圆代工厂成熟制程报价持续下调,幅度约为4%至6%,第二季度可能再降价,使得上半年累计降幅达一成左右。2.传三星独家供应英伟达12层HBM3E内存据快科技引述相关报道,英伟达最快将从9月开始大量购买三星独家供货的12层HBM3E内存,而SK海力士因部分工程问题,未能推出12层HBM3E产品,但计划从本月末开始
在半导体产业链中,晶圆代工是成本最高的环节,随着制造工艺日趋复杂、材料与设备等成本不断升高,建造晶圆厂也变得越来越贵。这一背景下,近年各国积极向晶圆代工厂商提供补贴,以推动本土芯片产业发展。 近期,英特尔与Rapidus两家厂商便传出了将获得补贴的消息。 英特尔获美国195亿美元资金支持 3月20日,美国商务部宣布,与英特尔达成一份不具约束力的初步条款备忘录(PMT),将根据美国芯片法案向英特尔提
前3nm工艺为业内最先进的制程技术,与此同时台积电、三星、英特尔、Rapidus等厂商积极推动2nm晶圆厂建设,台积电、三星此前曾规划2nm芯片将于2025年量产,Rapidus则计划2nm芯片将于2025年开始试产。随着这一时间逐渐临近,全球2nm晶圆厂建设加速进行中。2nm晶圆厂最快年内建成?近期,国际半导体产业协会(SEMI)对外表示,预计台积电与英特尔两家大厂有望今年年底之前建成2nm晶圆
1.部分代工厂成熟制程报价续降据科创板日报引述中国台湾经济日报,IC设计厂商透露,本季部分晶圆代工厂成熟制程报价持续下调,幅度约为4%至6%,第二季度可能再降价,使得上半年累计降幅达一成左右。2.传三星独家供应英伟达12层HBM3E内存据快科技引述相关报道,英伟达最快将从9月开始大量购买三星独家供货的12层HBM3E内存,而SK海力士因部分工程问题,未能推出12层HBM3E产品,但计划从本月末开始
;超过20亿美元的激励”。此前3月初,媒体报道英特尔公布了其位于德国马格德堡的Fab29晶圆厂项目的蓝图,目前一期的Fab29.1和Fab29.2两栋建筑,高三层,每层高度在5.7至6.5米之间,第二层将成为High-NAEUV光刻机的落座地,上下两层用于材料物流。英特尔CEO帕特·基辛格透露,马格德堡晶圆厂投产后将拥有先进的芯片制造能力,可生产超越Intel18A制程的
1.SEMI:多项应用促进300毫米晶圆厂投资规模扩大据国际半导体产业协会(SEMI)发布的报告,由于存储器市场复苏以及对高性能计算和汽车应用的强劲需求,全球前端设施的300毫米晶圆厂设备支出将在2025年增长20%,达到1165亿美元,2026年增长12%达到1305亿美元,2027年将创下历史新高的1370亿美元。来源:SEMI按地区划分,中国大陆在未来四年将会每年投资300亿美元,继续引领晶
精工技研确立了能够高速、高精度研磨加工备受关注的新一代半导体底板材料——碳化硅(SiC)晶圆的技术。目前已经开始面向研究机构及元件厂商开发部门供应样品。 该技术采用了产业技术综合研究所(产总研)公开的技术。其特点是采用了不向碳化硅结晶施加多余压力的研磨加工,能够降低加工变形并提高晶圆面精度。表面光洁度为0.1nm,达到了外延膜生长所需的Ra值(0.3nm)以下;而且能够通过缩短研磨时间提高量产效
俄罗斯晶体专家、合成蓝宝石与其它先进电子材料市场的领导者Monocrystal公司表示,它的超大面积晶圆将通过制造低成本高效的LED芯片,从而加快步入固态照明领域。今年八月,该公司就已经开始为LED制造商批量生产这种8英寸的C面蓝宝石衬底。通过采用适合大面积蓝宝石生长的先进技术,Monocrystal能快速地提高新一代蓝宝石晶体的产量。已知在2005年该公司的大面积蓝宝石晶体的产量超过了65kg。
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