浅淡LED晶粒/芯片制造流程

    随着技术的发展，LED的效率有了非常大的进步。在不久的未来LED会代替现有的照明灯泡。近几年人们制造LED晶粒/芯片过程中首先在衬底上制作氮化镓（GaN）基的晶圆（外延片），晶圆所需的材料源（碳化硅SiC）和各种高纯的气体如氢气H2或氩气Ar等惰性气体作为载体之后，按照制程的要求就可以逐步把晶圆做好。接下来是对LED-PN结的两个电极进行加工，并对LED大圆片进行减薄，划片。然后对大圆片进行测试和分选，就可以得到所需的LED晶粒。具体的工艺做法，不作详细的说明。

    总的来说，LED制作流程分为两大部分：

    首先在衬低上制作氮化镓（GaN）基的晶圆，这个过程主要是在金属有机化学气相沉积晶圆炉（MOCVD）中完成的。准备好制作GaN基晶圆所需的材料源和各种高纯的气体之后，按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底，还有GaAs、AlN、ZnO等材料。

    MOCVD是利用气相反应物（前驱物）及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底表面进行反应，将所需的产物沉积在衬底表面。通过控制温度、压力、反应物浓度和种类比例，从而控制镀膜成分、晶相等质量。MOCVD外延炉是制作LED外延片最常用的设备。

    然后是对LEDPN结的两个电极进行加工，电极加工也是制作LED芯片的关键工序，包括清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨；然后对LED大圆片进行划片、测试和分选，就可以得到所需的LED芯片。如果芯片清洗不够干净，蒸镀系统不正常，会导致蒸镀出来的金属层（指蚀刻后的电极）会有脱落，金属层外观变色，金泡等异常。

    蒸镀过程中有时需用弹簧夹固定芯片，因此会产生夹痕（在目检必须挑除）。黄光作业内容包括烘烤、上光阻、照相曝光、显影等，若显影不完全及光罩有破洞会有发光区残多出金属。

    晶粒在前段制程中，各项制程如清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨等作业都必须使用镊子及花篮、载具等，因此会有晶粒电极刮伤情形发生。