Compoundsemiconductor报道：日本LED开发商Nichia发布了一项关于高能效深紫外(DUV)LED的科研结果。与其他科研小组的做法不一样,以往采用GaN化合物半导体材料作为衬底材料以吸收部分光辐射,而此次Nichia是基于蓝宝石上AlN衬底制备DUV LED器件。
如今,研究工作集中在如何提高DUV LED器件的等效功率,相较于当前可视LED技术的70%左右,新的器件计划提升2个百分点。为了达成这个目标,Nichia对AlN层增厚以达到提高晶体质量继而增大效率。
结果显示,一个由26个DUV LED组成的发光系统在驱动电流是1.85A时的输出功率是223mW,发光波长为281nm。此举证实了在蓝宝石上用MOCVD法生长AlN层可制备出高功率DUV LED是可行的。
DUV LED用于多种领域,包括消毒、传感和医疗矫正。相对于今天用于水银灯上的技术,DUV LED更耐用、效率更高且寿命更长。再者,它更加安全,可降低水银灯打碎后释放有毒物质的风险。(LEDC MH译)
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