在位于美国南卡罗来纳州哥伦比亚市的Sensor Electronic Technology(SET)公司的研究人员创造了一项纪录,将发光波长小于250nm的发光二极管(LED)光输出功率提高到了2mW(详见《应用物理快报(APL)》2010年第96卷,p061102)。他们亦对基于AlGaN半导体材料体系245-247nm波长范围的深紫外LED(波长小于300nm)效率随电流升高而下降的效应开展了研究。
参与该研究工作的Michael Shur博士,同时也是Resselaer Polytechnic Institute讲席教授,评价道：“SET已经打破了其自身保持了5年的波长小于340nmLED的纪录,而且仍然是波峰波长小于350nm深紫外LED器件的唯一商业供应商。该公司亦开发出了下一代具有更高输出功率的大面积器件。”
深紫外LED器件可能的应用领域包括气体检测、生物探测、杀菌消毒、以及光刻工艺等。SET目前提供紫外和深紫外(400-240nm)LED光源,以及基于上述器件用于空气和水净化、萤光计/光谱仪等设备。光输出功率、效率和可靠性的提高能进一步改善器件的性能。如同其他基于氮化物的器件,材料质量是首要的考虑因素。其他的问题诸如AlGaN的p型掺杂、优化深紫外光的提取、及器件加工工艺改进等。 LED之家小提示：若文章图片无法显示，又急需查看图片，请将需求文章的网址发往邮箱：wantled@163.com ，本站将尽快将相关图片回复到您的邮箱。
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