4月3日消息,据Journal reference刊载：在高驱动电流下GaN LED的效率降低了,关于这个下降起源的争论一直在持续着,光电流测量为它带来转机。
据估计,由InGaN量子阱谐振光激励生成的载流子限制了LED,使它不具备这个特定的层结构。但来自RPI的Fred Schubert及合作伙伴展示了这些受光激发的载流子能从阱中泄露出去,即便是当这些结构长得不偏不倚的。
这个发现为LED下降的早期性实验研究投下了阴影。Schubert小组之前宣布电子泄露是下降的原因,他们猜想,在一个InGaN/GaN异质结构中,它所含InGaN层的谐振光激励不能导致载流子逃逸,就如实验说明的。Philips Lumileds作相同的猜想,他们宣称光学实验揭示了俄歇式复合导致了下降问题。
RPI现在的观点是,他们的实验无法决定到底哪个才是下降的原因,俄歇复合还是载荷逃逸？
这个光电流实验用到的是一个300×300µm器件,器件内含一个常规的InGaN/GaN多量子阱以及一个电子阻挡层。当使用405nm的光源泵浦时,这些406nm LED可在全偏条件下产生明显的光电流,在激发功率是1mW时,零偏压器件的光电流超过15µA。
一些LED团体的研究人员认为,不同的样品才是导致不同下降起源的根本原因；为了解决这个问题,RPI开始调查这些来自其他制造商的样品,Fred的儿子 Martin Schubert表示,“我们测量所有样品在谐振激励下的载流子逃逸”。
现在这个小组打算重温早期的工作,包括外量子效率和光致光效率之间的对比。Martin Schubert解释道,“我们也将期待其他的实验,更进一步研究偏压条件下LED在干些什么”。(《化合物半导体》 )
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