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首尔半导体指控日亚侵犯其激光二极管专利权

LED之家  于2009-02-01 15:42:41  http://www.ledjia.com/ledhangye/viewarticle.php?id=4959

文章摘要:首尔半导体宣布向美国国际贸易委员会theUnitedStatesInternationalTradeCommission,ITC呈交诉状,投诉日亚化学工业株NichiaCorporation从事不公平的贸易行为。首尔半导体指控日亚公司进口及销售含氮化镓GalliumNitride的激

首尔半导体宣布向美国国际贸易委员会(the United States International Trade Commission,ITC)呈交诉状,投诉日亚化学工业(株) (Nichia Corporation)从事不公平的贸易行为。首尔半导体指控日亚公司进口及销售含氮化镓(Gallium Nitride)的激光二极管(laser diode)侵犯首尔半导体编号为5,321,713(713)的美国专利权。

首尔半导体投放在美国大学和公司,作为研究发展与激光二极管和发光二极管(LED)相关技术的资金共超过一千万美元。首尔半导体从这些研发投资之中,已取得多项与激光二极管及LED相关的专利权,当中包括美国713专利权,首尔半导体拥有的专利权超过了一千项。

此外,首尔半导体正就日亚公司销售的LED产品侵权问题提出诉讼,以维护旗下另一项美国专利权,编号为5,075,742(742)。有关诉讼已于2007年11月6日,入禀得克萨斯州东部地区的美国地方法院,案件现正待决。美国742专利权范围覆盖与白光、蓝光、绿光及紫外线LED和激光二极管等相关的技术。

首尔半导体预计ITC将于明年一月向日亚公司展开调查,并会于2008年秋季进行审理。


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