2007年12月11日，道康宁化合物半导体解决方案（DCCSS）业务部获得美国海军研究室(Office of Naval Research)420万美元的合同开发SiC材料技术。该合同是前一360万美元合同（2005年12月）的延续，使DCCSS得以继续提高其制造直径100mm、器件级质量的SiC衬底的能力。联邦基金与道康宁制造经验的结合将加速SiC衬底市场的发展。
道康宁称，在项目第一阶段，所有主要目标业已达成，SiC技术也得到显著进步，希望第二阶段及后续阶段将帮助其进一步提高质量、降低成本，为性能更好、价格更易被人接受、更节能SiC产品的上市铺平道路。SiC技术最终的市场成功不仅取决于原材料，附加研究和系统开发也非常重要。这一项目为政府、领先科研机构和商业组织合作、共享资源，改进技术提供了一个理想平台。
道康宁从2003年收购SiC先锋-Sterling Semiconductor公司后就一直进行SiC技术的研究。随着2004年DCCSS业务部诞生，道康宁在密西西比州奥本市的制造基地开放，SiC技术的开发也在该基地中进行。 （http://compoundsemiconductor.net/blog/2007/12/dow_corning_compound_semicondu.html）
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