本周，电气和电子工程师协会（IEEE）在美国华盛顿举行了国际电子元件大会(IEDM)，会上，来自日本大阪的松下集团发布了一款超高压氮化镓（GaN）功率晶体管，其崩溃电压超过10000V，比先前记录高出5倍。
新款超高压氮化镓（GaN）功率晶体管在工业及电气功率系统中高电压、低损耗开关设备中有很大应用。
松下负责人声称，针对该项技术公司已经申请了110项国内专利及69项国际专利。http://www.semiconductor-today.com/news_items/NEWS_2007/DEC_07/PANASONIC_141207.htm
来源：中国半导体照明网
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