中村修二（Shuji Nakamura）

中村修二（Shuji Nakamura）
1954 年出生于日本爱媛县濑户町
1977 年德岛大学工学院电子工程学士毕业
1979 年德岛大学电子工程硕士学位毕业， 同年进入日亚化学(Nichia)
1988 年日亚化学资助中村进入美国佛罗里达州立大学研究有机金属气象 (MOCVD)
1991 年获得氮化镓成长的关键技术
1993 年开发了蓝色发光二极管－－被称为世纪发明、诺贝尔奖级别的发明－－该项技术曾被认为20世纪不可能的任务－－并商品化
1995 年开始研发蓝色激光二极管。
1997年开发出紫外LED
1999 年离开日亚公司，2000年以来供职于美国加利福尼亚大学圣芭芭拉分校，任教授。同时以每周一天的频率指导cree
2001 年获日本朝日奖， 2002 年获得美国本杰明•富兰克林金奖，2006年获芬兰千禧技术大奖
2006年5月24日，中村修二博士与加州大学巴巴拉分校（UCSB）研究小组制造出第一款无极性（non-polar）和半极性（semi-polar）GaN 衬底LED。
Nichia（日亚化学）
前身是生产荧光灯、显示器所用的荧光粉，年收入仅20亿日元（约2000万美元），不到200人的小公司
在酒井士郎（德岛大学教授）的建议下，日亚开始搞氮化物。蓝光、白光LED的发明，使日亚成为世界知名的LED领导企业。从1994～2010，日亚可以从中获得大约１兆 2,086 亿日元 ( 约合109.87 亿美元 )的销售收入 。另外，其它公司从日亚公司获得专利使用许可之后，销售额至少达到日亚的一半，日亚公司能从中得到 20% 的专利使用许可费计 1,208 亿日圆 ( 约合10.98 亿美元 )
好斗的日亚，不断挑起诉讼，以获得知名度。
“奴隶的战争”
中村的研究一度被日亚终止，中村的执著使得发明得以完成（191件专利，尚有未公开部分）
中村修二为日亚化学获得了近2000亿日元受益，尚不包括将来的和向其它公司专利授权的收入。日亚化学仅仅支付2万日元的奖励（年薪100万美元），中村还被调离研发一线，被同行成为“中村奴隶”。1999年中村离开公司，日亚试图以6000万日元买断中村的发明，并状告中村泄密
谈判持续5年，2005年和解，赔偿金额从600亿降到8.4亿日元（约为6700万元 ），过程曲折，被称为“奴隶的战争”
转载自http://www.2ic.cn/html/76/t-337776.html

&&&&&& Nakamura说到，在1989年他开始搞GaN时，世界上有ZnSe和GaN两种材料可能被用于制作蓝光LED，显然那时候前者是主流，全世界搞ZnSe的研究者超过一万人，而当时搞GaN的全世界不到10个人。原因是高质量的GaN晶体很难获得。而Nakamura说他之所以选择GaN作研究目标，而不是更流行的ZnSe，理由似乎有点滑稽，因为搞GaN的人少，因此更容易写论文。Nakamura说那时那刻，他自己怎么也没想到，会是他基于GaN发明了蓝光LED，在一个小公司，非常少的预算，就他一个研究员。
&&&&&&&& Nakamura在1989年开始蓝光研究，在1996年达到巅峰。细看他的研究成果，还真算得上硕果累累，按照年头划分简单总结如下：
&&&&&&&& 1990年，Nakamura先对GaN生长工艺MOCVD做了改进，提出了双流送气法；
&&&&&&&& 1992年，他用改进的MOCVD去生长p型GaN，通过热退火工艺，消除了氢钝化的影响；
&&&&&&&& 1992年，他成功生长出了高质量InGaN单晶层；
&&&&&&&& 1993年，Nakamura制作出了世界上第一个蓝光GaN的LED；
&&&&&&&& 1995年，为提高发光效率，他基于多量子阱结构，制作了世界上第一个脉冲式的InGaN LD；
&&&&&&&& 1995年，没过多久，他又制作出了世界上第一个连续光发射的InGaN LD；
&&&&&&&& 1996年，Nakamura又率先制作了高亮度的白光和绿光LED。
&&&&&&&& 很遗憾，在96年后，Nakamura就像他自己形容的，享誉世界了，而就从这一年开始，他也再没有什么特别的研究成果问世了。