1.MB芯片定义与特点

■ 定义﹕&&&&&&

&MB 芯片﹕Metal Bonding (金属粘着）芯片﹔该芯片属于UEC 的专利产品

■ 特点﹕&&

&& 1:&& 采用高散热系数的材料---Si 作为衬底﹐散热容易.

MB-type AlGaInP LED		TS-type AlGaInP LED
Standard type	Advanced type	Standard type	TIP-type
(The distance from light emitting area to heat sink)
150um	150um	200um	50um
(Substrate)
Silicon	Copper	GaP	GaP

*Thermal Conductivity
GaAs: 46 W/m-K
GaP: 77 W/m-K
Si: 125 ～ 150 W/m-K
Cupper:300~400 W/m-k
SiC: 490 W/m-K

&&&& 2﹕通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收.
&&&& 3: 导电的Si 衬底取代GaAs 衬底，具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4&& 倍)，更适应于高驱动电流领域。
&&&& 4: 底部金属反射层﹐有利于光度的提升及散热
&&&& 5: 尺寸可加大﹐应用于High power 领域﹐eg : 42mil MB

2.GB芯片定义和特点

定义﹕&&&&&& GB 芯片﹕Glue Bonding (粘着结合）芯片﹔该芯片属于UEC 的专利产品

&&

特点﹕
&&&&&&&& 1﹕透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底﹐其出光功率是传统AS (Absorbable structure)芯片的2倍以上﹐蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底.
&&&&&&&& 2﹕芯片四面发光﹐具有出色的Pattern图
&&&&&&&& 3﹕亮度方面﹐其整体亮度已超过TS芯片的水平(8.6mil)
&&&&&&&& 4﹕双电极结构﹐其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片

3.TS芯片定义和特点

■ 定义﹕&&&&&& TS 芯片﹕transparent structure(透明衬底)芯片﹐该芯片属于HP 的专利产品。

■ 特点﹕
&&& 1.芯片工艺制作复杂﹐远高于AS LED
&&& 2. 信赖性卓越
&&& 3.透明的GaP衬底﹐不吸收光﹐亮度高
&&& 4.应用广泛

4.AS芯片定义与特点

■ 定义﹕&&&&&& AS 芯片﹕Absorbable structure (吸收衬底）芯片﹔经过近四十年的发展努力﹐台湾LED光电业界对于该类型芯片的研发﹑生产﹑销售处于成熟的阶段﹐各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水平﹐差距不大.
&&&&& 大陆芯片制造业起步较晚﹐其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距﹐在这里我们所谈的AS芯片﹐特指UEC的AS芯片﹐eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等

■ 特点﹕
&&& 1. 四元芯片﹐采用MOVPE工艺制备﹐亮度相对于常规芯片要亮
&&& 2. 信赖性优良
&&& 3. 应用广泛

发光二极管芯片材料磊晶种类

1、LPE：Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP

2 、VPE：Vapor Phase Epitaxy(气相磊晶法) GaAsP/GaAs

3 、MOVPE：Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有机金属气相磊晶法) AlGaInP、GaN

4 、SH：GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(单异型结构)GaAlAs/GaAs

5 、DH：GaAlAs/GaAs Double Heterostructure，(双异型结构) GaAlAs/GaAs

6、DDH：GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure，(双异型结构) GaAlAs/GaAlAs

Ⅱ	Ⅲ	Ⅳ	Ⅴ	Ⅵ
	B	C	N	O
	Al	Si	P	S
Zn	Ga	Ge	As	Se
Cd	In	Sn	Sb	Te
Hg	Ti	Pb	Bi	Po

注：Ⅲ族元素为P型材料，Ⅴ族元素为N型材料，晶片的材料主要是Ⅲ族，Ⅴ族元素的化合物。